Kingston KP223C-ELD 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

総合得点

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

総合得点

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston KP223C-ELD 2GB

考慮すべき理由
Kingston KP223C-ELD 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 28

周辺 4% 低遅延

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

17.4 13.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.1 8.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 10600

周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston KP223C-ELD 2GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 28
読み出し速度、GB/s

13.4 17.4
書き込み速度、GB/秒

8.8 13.1
メモリ帯域幅、mbps

10600 19200

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2137 3437

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

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Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

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Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

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G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB

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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

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Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB

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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB

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