RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB

Kingston KP223C-ELD 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KP223C-ELD 2GB 考慮すべき理由
Kingston KP223C-ELD 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 31
    周辺 13% 低遅延
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.1 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 8.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 20.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.8 left arrow 16.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2137 left arrow 3823

Kingston KP223C-ELD 2GB RAMの比較

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
メモリRAM