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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
総合得点
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
総合得点
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
33
周辺 21% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
17.1
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
33
読み出し速度、GB/s
13.9
17.1
書き込み速度、GB/秒
9.5
11.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2432
3110
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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