RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

総合得点
star star star star star
Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KVR26N19D8/16 16GB 考慮すべき理由
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
バグを報告する
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB 考慮すべき理由
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 54
    周辺 -46% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    7.6 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.7 left arrow 14.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1611 left arrow 3419

Kingston KVR26N19D8/16 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
メモリRAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
メモリRAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
メモリRAM