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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
総合得点
Kingston KVR533D2N4 512MB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Kingston KVR533D2N4 512MB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
75
周辺 -103% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
1,672.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
4200
周辺 5.07 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
37
読み出し速度、GB/s
1,943.5
15.3
書き込み速度、GB/秒
1,672.1
11.5
メモリ帯域幅、mbps
4200
21300
Other
商品説明
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
301
2875
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
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