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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
総合得点
Kingston KVR533D2N4 512MB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
75
周辺 -241% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.6
1,672.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
4200
周辺 5.07 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
22
読み出し速度、GB/s
1,943.5
18.2
書き込み速度、GB/秒
1,672.1
15.6
メモリ帯域幅、mbps
4200
21300
Other
商品説明
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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Frequency (Mhz) *
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