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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
総合得点
Kingston KVR533D2N4 512MB
総合得点
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
相違点
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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考慮すべき理由
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
75
周辺 -226% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.6
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.2
1,672.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
4200
周辺 4.57 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
23
読み出し速度、GB/s
1,943.5
14.6
書き込み速度、GB/秒
1,672.1
7.2
メモリ帯域幅、mbps
4200
19200
Other
商品説明
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
301
2298
Kingston KVR533D2N4 512MB RAMの比較
Kingston KC6844-ELG37 1GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
最新の比較
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
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