RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
NSITEXE Inc Visenta 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

総合得点
star star star star star
NSITEXE Inc Visenta 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KVR533D2N4 512MB 考慮すべき理由
Kingston KVR533D2N4 512MB
バグを報告する
NSITEXE Inc Visenta 16GB 考慮すべき理由
NSITEXE Inc Visenta 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    58 left arrow 75
    周辺 -29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 1,672.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 4200
    周辺 5.07 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KVR533D2N4 512MB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    1,943.5 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,672.1 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    301 left arrow 2025

Kingston KVR533D2N4 512MB RAMの比較

Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
メモリRAM
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
メモリRAM
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
メモリRAM