Kingston KVR533D2N4 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

総合得点
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

総合得点
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 75
    周辺 -178% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 1,672.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 4200
    周辺 6.1 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KVR533D2N4 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    1,943.5 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,672.1 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    301 left arrow 3692
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