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Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

総合得点
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

総合得点
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KVR533D2N4 512MB 考慮すべき理由
Kingston KVR533D2N4 512MB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    54 left arrow 75
    周辺 -39% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 1,672.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 4200
    周辺 6.1 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    1,943.5 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,672.1 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    301 left arrow 2511

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メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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