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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
総合得点
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
16.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
50
周辺 -72% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
1,905.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
50
29
読み出し速度、GB/s
5,143.3
16.7
書き込み速度、GB/秒
1,905.1
12.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
855
3273
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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