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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比較する
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
総合得点
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
総合得点
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
50
周辺 -28% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.8
1,905.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
50
39
読み出し速度、GB/s
5,143.3
14.3
書き込み速度、GB/秒
1,905.1
10.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
855
2159
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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