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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB

総合得点
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

総合得点
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Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB

Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB 考慮すべき理由
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 49
    周辺 41% 低遅延
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.1 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.7 left arrow 5.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.1 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1432 left arrow 2668

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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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メモリRAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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メモリRAM
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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