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Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
総合得点
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
総合得点
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
47
周辺 -114% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.2
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
22
読み出し速度、GB/s
10.6
17.2
書き込み速度、GB/秒
7.1
13.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1913
2989
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
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