Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

総合得点

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

総合得点

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

バグを報告する

より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 21300

周辺 1.2% 高帯域

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

31 33

周辺 -6% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

21.4 17.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

16.2 12.5

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

33 31
読み出し速度、GB/s

17.8 21.4
書き込み速度、GB/秒

12.5 16.2
メモリ帯域幅、mbps

25600 21300

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3285 3809

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

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V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB

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