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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
総合得点
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
59
周辺 44% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.8
17.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
7.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
59
読み出し速度、GB/s
17.8
17.3
書き込み速度、GB/秒
12.5
7.6
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3285
1954
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAMの比較
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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