Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB

総合得点

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

考慮すべき理由
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

バグを報告する

G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

21 29

周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18.6 10.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.1 7.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 8500

周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 21
読み出し速度、GB/s

10.5 18.6
書き込み速度、GB/秒

7.1 14.1
メモリ帯域幅、mbps

8500 17000

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1425 3062

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

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Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Kingston 9905630-051.A00G 16GB

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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB

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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB

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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

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Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KP6FH5-MIE 32GB

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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

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