Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

総合得点

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

考慮すべき理由
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

バグを報告する

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 29

周辺 -12% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

19.4 10.5

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

16.8 7.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 8500

周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 26
読み出し速度、GB/s

10.5 19.4
書き込み速度、GB/秒

7.1 16.8
メモリ帯域幅、mbps

8500 17000

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1425 3899

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB

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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

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