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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
総合得点
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
総合得点
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
40
周辺 -43% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
13.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.3
8.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
28
読み出し速度、GB/s
13.6
16.0
書き込み速度、GB/秒
8.3
11.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2035
2436
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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