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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
総合得点
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
総合得点
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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考慮すべき理由
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
28
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
12.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
27
読み出し速度、GB/s
12.9
16.5
書き込み速度、GB/秒
9.0
13.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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