RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 33
    周辺 15% 低遅延
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 12.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 2543

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
メモリRAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
メモリRAM