RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
比較する
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
総合得点
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
31
周辺 10% 低遅延
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
12.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
31
読み出し速度、GB/s
12.9
17.7
書き込み速度、GB/秒
9.0
13.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2112
3313
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAMの比較
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link