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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
総合得点
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
48
周辺 42% 低遅延
考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
12.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.7
9.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
48
読み出し速度、GB/s
12.9
16.8
書き込み速度、GB/秒
9.0
15.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2112
3047
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