RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 38
    周辺 26% 低遅延
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB 考慮すべき理由
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 12.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 3147

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
メモリRAM