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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
総合得点
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
総合得点
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
8.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
12.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
28
読み出し速度、GB/s
12.9
14.3
書き込み速度、GB/秒
9.0
8.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2112
2361
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Frequency (Mhz) *
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