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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
比較する
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
総合得点
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
19.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,107.0
16.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
58
周辺 -115% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
58
27
読み出し速度、GB/s
4,025.3
19.1
書き込み速度、GB/秒
2,107.0
16.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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