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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
比較する
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
総合得点
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
総合得点
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
58
64
周辺 9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
16.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
2,107.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
58
64
読み出し速度、GB/s
4,025.3
16.5
書き込み速度、GB/秒
2,107.0
8.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
670
2016
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAMの比較
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Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB RAMの比較
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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