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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
総合得点
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
総合得点
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
15.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
49
周辺 -40% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
11.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
35
読み出し速度、GB/s
15.8
15.7
書き込み速度、GB/秒
11.0
11.8
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2534
2767
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Frequency (Mhz) *
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