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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 38
    周辺 -31% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.3 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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