RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
14.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
51
周辺 -38% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
37
読み出し速度、GB/s
15.6
14.4
書き込み速度、GB/秒
11.8
12.9
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
2873
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link