Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

総合得点

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

総合得点

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

バグを報告する

書き込み速度の高速化、GB/s

11.8 9.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 17000

周辺 1.51% 高帯域

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 51

周辺 -82% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.8 15.6

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

51 28
読み出し速度、GB/s

15.6 15.8
書き込み速度、GB/秒

11.8 9.4
メモリ帯域幅、mbps

25600 17000

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2687 2510

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB

Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

Kingston 9905624-025.A00G 8GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9905744-035.A00G 16GB

Kingston 9905744-035.A00G 16GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB

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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

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Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB

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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB

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