RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
51
周辺 -82% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.1
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
28
読み出し速度、GB/s
15.6
18.0
書き込み速度、GB/秒
11.8
14.1
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
3593
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link