RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
比較する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
総合得点
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
51
周辺 -82% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
15.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.3
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
28
読み出し速度、GB/s
15.6
18.2
書き込み速度、GB/秒
11.8
14.3
メモリ帯域幅、mbps
25600
17000
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2687
3663
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link