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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
総合得点
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
63
周辺 -186% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.4
7.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.5
5.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
22
読み出し速度、GB/s
7.7
18.4
書き込み速度、GB/秒
5.0
13.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1130
3286
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAMの比較
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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