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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
総合得点
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
63
周辺 -163% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.9
7.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
5.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
24
読み出し速度、GB/s
7.7
15.9
書き込み速度、GB/秒
5.0
8.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1130
2326
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAMの比較
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB RAMの比較
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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