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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB

総合得点
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB

総合得点
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Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 25
    周辺 4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 7.3
    テスト平均値
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 12.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.8 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2301 left arrow 2099

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
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