RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

総合得点
star star star star star
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 32
    周辺 19% 低遅延
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB 考慮すべき理由
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1952 left arrow 2713

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
メモリRAM