RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905702-184.A00G 8GB

Kingston 9905702-184.A00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
バグを報告する
Kingston 9905702-184.A00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 26
    周辺 -18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.4 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 10600
    周辺 2.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 18.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1952 left arrow 3512

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Kingston 9905702-184.A00G 8GB RAMの比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
メモリRAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
メモリRAM