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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

総合得点
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

総合得点
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB 考慮すべき理由
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 26
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1952 left arrow 2825

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