RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

総合得点
star star star star star
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 63
    周辺 59% 低遅延
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB 考慮すべき理由
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 63
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1952 left arrow 2543

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
メモリRAM