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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB

総合得点
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 6.9
    テスト平均値
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 37
    周辺 -16% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 11.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2395 left arrow 2090

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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
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