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Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
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Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
総合得点
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
総合得点
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
42
44
周辺 5% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
14.2
11.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
7.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
44
読み出し速度、GB/s
11.8
14.2
書き込み速度、GB/秒
7.7
13.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2075
3145
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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