RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
比較する
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
総合得点
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
総合得点
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
36
周辺 -20% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
30
読み出し速度、GB/s
14.9
16.5
書き込み速度、GB/秒
9.5
13.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2292
3273
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAMの比較
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT2TXRG 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link