RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 41
    周辺 12% 低遅延
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 14.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 16.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2292 left arrow 2870

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAMの比較

Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ20UF8BDU5-GN-F 2GB
Elpida EBJ20UF8BDU5-GN-F 2GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
メモリRAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
メモリRAM