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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
総合得点
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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仕様
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
36
周辺 -50% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
24
読み出し速度、GB/s
14.9
15.5
書き込み速度、GB/秒
9.5
11.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2292
2445
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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