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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
総合得点
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
14.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
36
読み出し速度、GB/s
14.9
14.6
書き込み速度、GB/秒
9.5
10.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2292
2760
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
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