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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
総合得点
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
13.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
36
周辺 -33% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.8
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
27
読み出し速度、GB/s
14.9
13.8
書き込み速度、GB/秒
9.5
9.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2292
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Absolute Latency
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