RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

総合得点
star star star star star
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
バグを報告する
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 36
    周辺 -64% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21 left arrow 14.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    19.6 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 21.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 19.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2292 left arrow 4240

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAMの比較

Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
メモリRAM