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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
総合得点
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
総合得点
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
36
周辺 -33% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.7
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.8
9.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
27
読み出し速度、GB/s
14.9
18.7
書き込み速度、GB/秒
9.5
17.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2292
3963
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