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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

総合得点
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

総合得点
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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 90
    周辺 60% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 8.7
    テスト平均値
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 14.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 90
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2292 left arrow 1743

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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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